Effect of write voltage and frequency on the reliability aspects of memristor-based RRAM
- T. D. Dongale*
- K. V. Khot
- S. V. Mohite
- N. D. Desai
- S. S. Shinde
- V. L. Patil
- S. A. Vanalkar
- A. V. Moholkar
- K. Y. Rajpure
- P. N. Bhosale
- P. S. Patil
- P. K. Gaikwad
- R. K. Kamat
10.1007/s40089-017-0217-z